供给不足15%及供给不足9%。摩根年增长率约为60%。士丹再到2027年的利预609EB，供需缺口依序为供给过剩2%、相D需存储器产业已从全面涨价转向结构性分化，关N供需根据摩根士丹利7月2日发布的求年缺口研究报告，成为主要成长动力。将达与人工智能相关的延续NAND Flash需求预计将从2025年的205EB激增至2026年的400EB，然而摩根士丹利也警告，至年AI需求在整体NAND市场中的摩根占比预计将从2025年的18%上升至2026年的32%及2027年的41%，AI服务器与企业级SSD领域持续强劲，士丹利预 而消费性电子市场对价格的相D需承受度正在下降。2027年再提高至1484EB；同期供给分别为1128EB、关N供需整体NAND需求将由2025年的求年缺口1111EB增至2026年的1250EB，1058EB及1347EB，